近日，NAND 上一季度(2023年4月至6月)Flash大厂铠侠公布财务报告。由于智能手机等产品需求低迷，NAND Flash市场继续恶化，价格下跌。受此影响，本季度铠侠收入为2511亿日元(约17.5亿美元)，同比下降32%。

凯霞指出，由于市场复苏缓慢，他们将根据需求趋势减少生产，控制营销成本。此外，为了保持竞争力，凯霞将继续开发下一代产品，并采取措施降低成本。

据共同社报道，为了应对需求恶化，凯霞决定将在日本岩手县北上市的北上工厂新建工厂推迟到2024年。该厂原计划于2023年投产，但凯霞公关负责人表示：“投产时间尚未确定。在详细调查需求趋势后，我们将做出判断。”

早些时候，SK海力士和三星也减产了NAND Flash的决定。SK海力士认为，NAND闪存的去库存速度相对缓慢，因此决定扩大NAND产品的减产规模。

三星电子存储部执行副总裁Jaejune Kim在财务报告电话会议上表示，三星将延长减产行动，数字处理器，集成芯片，芯片在线商城平台并调整一些产品的额外产量，包括NAND闪存芯片。

关于市场趋势和未来前景，铠侠指出，NAND Flash厂商扩大生产调整(减产)范围后，供需平衡逐步改善。客户去库存和PC、在智能手机存储搭载量增加的背景下，铠侠预计NAND 随着供需平衡的改善，Flash需求将逐步恢复，价格下跌将放缓。

铠侠表示，尽管目前市场形势严峻，但NAND Flash市场中长期呈现增长趋势的市场观点没有太大变化。

尽管目前的NAND Flash市场形势艰难，但主要厂商仍对其市场前景持乐观态度，并继续布局闪存堆叠技术，以便在未来占据更有利的地位。

目前，NAND Flash已经突破了200层堆叠的大关。存储制造商正在继续推出更高层次的产品。8月9日，SK海力士在2023年闪存峰会上首次展示了世界上首个321层NAND闪存样品，其效率比上一代238层512GB提高了59%。SK海力士表示，将进一步完善321层NAND闪存，并计划于2025年上半年开始量产。

此外，美光计划在232层后推出2YY、3XX、4XX等高层产品；铠侠和西数也在积极探索300层以上、400层以上、500层以上的3D产品 NAND技术；三星计划在2024年推出第九代3D NAND第十代3D(预计将达到280层)将于2025-2026年推出 NAND(预计将达到430层)，2030年前，NAND达到1000层 Flash。

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